Micro-LED 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的難點(diǎn)與突破全解析(二)
來源:辰顯光電 編輯:ZZZ 2024-08-22 16:47:27 加入收藏
1. 為什么巨量轉(zhuǎn)移的檢測是關(guān)鍵步驟?
巨量轉(zhuǎn)移檢測是確保屏體質(zhì)量的關(guān)鍵步驟,旨在識(shí)別并精確定位制程中的壞點(diǎn),然后將這些坐標(biāo)輸出給修復(fù)工藝,以提高屏體的點(diǎn)亮良率和畫質(zhì)。目前,檢測方式主要包括外觀檢測、光學(xué)檢測和電學(xué)檢測,分別在Wafer端、制程端和屏體端進(jìn)行,以實(shí)現(xiàn)對(duì)過程不良的精準(zhǔn)檢測。此外,為了應(yīng)對(duì)Micro-LED芯片光學(xué)均一性不足的問題,辰顯光電采用了混bin技術(shù),通過光學(xué)和電學(xué)檢測對(duì)Micro-LED來料進(jìn)行精確分類,從而提升顯示效果。
2. 目前行業(yè)在巨量轉(zhuǎn)移檢測中面臨哪些主要挑戰(zhàn)?
隨著Micro-LED芯片的微縮化,傳統(tǒng)檢測方案和設(shè)備難以滿足需求。首先,電學(xué)檢測面臨的挑戰(zhàn)在于每個(gè)顯示器需檢測的LED數(shù)量達(dá)到數(shù)十萬乃至上千萬顆,受限于Micro-LED 芯片一般小于50μm,現(xiàn)有檢測效率還處在1~2秒的階段,還無法滿足 LED全檢要求。其次,檢測精度要求極高,Micro-LED制程中對(duì)于精度的要求一般在2μm以內(nèi),高PPI產(chǎn)品甚至需要1μm以內(nèi)的精度。這對(duì)于 Micro-LED 芯片從晶圓到中間臨時(shí)基板再到背板的各個(gè)環(huán)節(jié)的精度檢測提出了極高要求,必須結(jié)合智能算法和高精度數(shù)據(jù)采集硬件才能達(dá)成。
3. 辰顯光電如何構(gòu)建高效的巨量轉(zhuǎn)移檢測流程?
辰顯光電在巨量轉(zhuǎn)移工藝中布置了多個(gè)檢測站點(diǎn),以提高一次轉(zhuǎn)移良率和精準(zhǔn)修復(fù)能力。首先,Micro-LED Wafer來料時(shí)會(huì)進(jìn)行外觀(AOI)、光學(xué)(PL)和電學(xué)(EL)檢測,確保 Micro-LED 的來料良率和光電信息,集中修復(fù)不良點(diǎn)位。在轉(zhuǎn)移制程中,通過AOI檢測確定制程中的不良因素,如缺失、偏位等,進(jìn)行及時(shí)修復(fù)。最后,針對(duì)鍵合后的屏體進(jìn)行CT檢測,檢查屏體光學(xué)品質(zhì),包括亮暗點(diǎn)、異常顯示、亮度和波長一致性等,并將檢測出的壞點(diǎn)坐標(biāo)輸出給下一站點(diǎn)修復(fù)。最終通過層層檢測和修復(fù),辰顯光電能夠生產(chǎn)出高畫質(zhì)、零暗點(diǎn)的屏體。
4. 辰顯光電采用了哪些國內(nèi)首臺(tái)設(shè)備或技術(shù)進(jìn)行檢測?
辰顯光電十分重視與國內(nèi)設(shè)備廠商密切合作,在Micro-LED產(chǎn)業(yè)化初期即引入了多項(xiàng)國內(nèi)先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備,特別是在檢測方面,涵蓋了AOI、PL、CT等關(guān)鍵檢測環(huán)節(jié),確保檢測流程的高效性和準(zhǔn)確性。由于Micro-LED是新興技術(shù),隨著對(duì)技術(shù)和工藝要求的不斷提升,辰顯光電與設(shè)備廠商共同推進(jìn)設(shè)備與技術(shù)的迭代,合作開發(fā)出了多個(gè)國內(nèi)首臺(tái)套設(shè)備,進(jìn)一步推動(dòng)了Micro-LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
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