近期，賽富樂斯、歌爾科技、微玖(蘇州)光電、潤銀星潤光電等企業(yè)持續(xù)公示Micro LED相關(guān)專利進(jìn)展。

　　其中，涉及量子點技術(shù)、激光剝離技術(shù)、全彩Micro-LED器件、紅光Micro LED芯片結(jié)構(gòu)及制備，可提升Micro LED良率、光效、分辨率、壽命等。

　　■ 賽富樂斯：2則Micro-LED專利進(jìn)入審中公布階段

　　7月22日，西安賽富樂斯半導(dǎo)體科技有限公司2則Micro LED專利進(jìn)入審中公布階段，具體如下。

　　1)“高效率量子點Micro-LED色彩轉(zhuǎn)換層及其制備方法”：

　　本發(fā)明包括將外延片置于超凈清洗設(shè)備中進(jìn)行表面清洗及烘干處理;將處理后的外延片置于電化學(xué)腐蝕機(jī)的容置槽內(nèi)，注入電解質(zhì)溶液;在設(shè)定的電解質(zhì)溶液溫度下向外延片施加直流電壓進(jìn)行腐蝕;將腐蝕完的外延片轉(zhuǎn)移至二次清洗槽進(jìn)行超聲清洗，得到具有目標(biāo)形貌納米孔結(jié)構(gòu)的色彩轉(zhuǎn)換層。

　　通過調(diào)整Si摻雜濃度以及電化學(xué)參數(shù)，實現(xiàn)了具有上窄下寬喇叭狀形貌的納米孔結(jié)構(gòu)，不僅通過光學(xué)漏斗效應(yīng)將出光效率大幅提升，還利用漸變孔徑有效抑制了像素間串?dāng)_。更關(guān)鍵的是，納米孔的底部寬口結(jié)構(gòu)和梯度Si摻雜技術(shù)優(yōu)化了熱傳導(dǎo)路徑，顯著改善了量子點在高溫下工作的熱穩(wěn)定性。

　　2)“基于復(fù)合膠帶臨時鍵合的Micro-LED激光剝離方法”：

　　本發(fā)明包括將復(fù)合膠帶平整粘貼于載體晶圓上;在器件晶圓表面涂敷保護(hù)性膠水進(jìn)行粗化;將表面粗化后的器件晶圓與載體晶圓的復(fù)合膠帶層進(jìn)行貼合;將復(fù)合膠帶層通過UV光進(jìn)行曝光徹底固化;將固化后的器件晶圓復(fù)合膠帶載體晶圓進(jìn)行激光剝離。

　　通過將器件晶圓表面涂敷摻雜膠層進(jìn)行表面形貌粗化，提高了嵌入復(fù)合膠帶的深度，從而增加了復(fù)合膠帶徹底固化后的摩擦力與附著力，解決了剝離失效、溶液清洗脫落等問題，提高了剝離良率。

　　■歌爾科技：2則Micro-LED專利進(jìn)入審中公布階段

　　1)“Micro-LED器件及其制備方法、頭戴顯示設(shè)備專利”：

　　該MicroLED器件包括依次堆疊設(shè)置的襯底、n型GaN層、多量子阱有源區(qū)層、p型GaN層以及p型電極層;貫穿襯底，延伸至n型GaN層的n型電極;其中，p型電極層包括在p型GaN層上圖案化分布的多個p型電極單元，相鄰兩個p型電極層之間留有間隙;多量子阱有源區(qū)層為未被刻蝕的完整結(jié)構(gòu)層;n型電極包括多個，每個n型電極正對一個p型電極層。

　　本申請在對MicroLED器件中的p型電極層進(jìn)行圖案化刻蝕，而多量子阱有源區(qū)層未被刻蝕破壞的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)各個不同發(fā)光像素點的獨立發(fā)光控制功能，在很大程度上保證了MicroLED器件的工作性能。

　　2)“全彩Micro-LED器件及制備方法、頭戴顯示設(shè)備”：

　　該全彩MicroLED器件包括：依次堆疊設(shè)置的驅(qū)動背板、藍(lán)光LED外延片、第一光轉(zhuǎn)換層和第二光轉(zhuǎn)換層;第一光轉(zhuǎn)換層和第二光轉(zhuǎn)換層均為完整結(jié)構(gòu)層;在第二光轉(zhuǎn)換層背離第一光轉(zhuǎn)換層的表面上包括多個設(shè)置有濾光片的光線輸出區(qū)域;每個光線輸出區(qū)域上的濾光片為紅光濾光片、藍(lán)光濾光片或綠光濾光片中的一種濾光片;第一光轉(zhuǎn)換層和第二光轉(zhuǎn)換層中一種為綠色光轉(zhuǎn)層另一種為紅色光轉(zhuǎn)換層。

　　本申請的綠色光轉(zhuǎn)換層和紅色光轉(zhuǎn)換層堆疊設(shè)置且無需刻蝕，降低光轉(zhuǎn)換層加工難度，利用濾光片實現(xiàn)三種不同顏色光線分區(qū)域輸出，保證全彩MicroLED器件的高分辨率。

　　■ 微玖(蘇州)光電：2則AlGaInP紅光MicroLED芯片專利有新進(jìn)展

　　近日，微玖(蘇州)光電科技有限公司兩則AlGaInP紅光MicroLED芯片相關(guān)專利有新進(jìn)展。

　　首先，“一種改善AlGaInP紅光MicroLED芯片光電性能的方法”的發(fā)明專利進(jìn)入有效授權(quán)階段。

　　本申請包括如下步驟：S1，襯底預(yù)處理與緩沖層生長;S2，刻蝕阻擋層生長;S3,絕緣膜層制備與圖形化;S4,n型GaN/InGaN歐姆接觸層生長;S5,外延片結(jié)構(gòu)生長：在歐姆接觸層上依次外延生長多種功能層;S6，芯片工藝處理：對外延片進(jìn)行一系列芯片工藝處理;

　　本申請的n型GaN(InGaN)高摻雜濃度及低接觸電阻率，使芯片串聯(lián)電阻較傳統(tǒng)方案降低30%50%，功耗同步下降;避免GaAs材料吸光及金屬層遮光，結(jié)合微透鏡陣列，光輸出功率提升25%以上，光提取效率(LEE)提高30%50%;低電阻減少焦耳熱，工作溫度降低1015℃，緩解熱致亮度衰減，延長器件壽命。

　　其次，“一種改善AlGaInP紅光MicroLED芯片散熱性能的方法”的發(fā)明專利進(jìn)入審中公布階段。

　　本申請包括如下步驟：S1，外延結(jié)構(gòu)制備：襯底與緩沖層處理、刻蝕阻擋層與歐姆接觸層生長、功能層堆疊外延;S2，硅基襯底圖形化：介質(zhì)層與金屬結(jié)構(gòu)制備;S3,金剛石歐姆接觸層集成：p型導(dǎo)電金剛石膜層加工、金屬反射與鍵合;S4,襯底去除與n型結(jié)構(gòu)形成：襯底剝離與n型接觸;S5,后段工藝集成：電極與光學(xué)結(jié)構(gòu)制備;本申請的芯片散熱性能顯著提升;串聯(lián)電阻降低30%50%;p/n型金剛石歐姆接觸層電阻率較ITO降低12個數(shù)量級;避免了GaAs材料吸光與金屬遮光，結(jié)合微透鏡陣列，紅光透過率從75%提升至90%以上;兼容現(xiàn)有MOCVD、CVD及光刻工藝，可實現(xiàn)212寸晶圓規(guī)?；a(chǎn)，降低制造成本。

　　■ 潤銀星潤光電：一種基于Micro-LED的聚光式微顯示器

　　近日，深圳市潤銀星潤光電科技股份有限公司一種基于Micro-LED的聚光式微顯示器進(jìn)入審中公布階段。

　　本發(fā)明所述顯示器和方法所得到的顯示器包括硅基，像素驅(qū)動電路，微型化的micro LED陣列，以及分布式聚光單元，其中，所述陣列中的每個像素單元，從下向上依次為包括單晶硅層的硅基、包括CMOS像素驅(qū)動電路層的像素驅(qū)動電路、平整層、電極層、RGB micro LED層，石墨烯防眩防護(hù)層，以及分布式聚光單元，所述分布式聚光單元包括與每一個像素一一對應(yīng)的微單元。

　　所述顯示器實現(xiàn)了相同用電功率下的更明亮的觀感，以低成本地節(jié)省了用電需求。